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| CAS号 : | 75-73-0 |
精确质量 : | 87.99360 |
| 分子式 : | CF4 |
logP : | 1.47570 |
| 分子量 : | 88.00430 |
PSA : | 0.00000 |
四氟甲烷 | |
tetrafluoromethane | |
75-73-0 | |
CF4 | |
88.00430 | |
0.00000 | |
1.47570 | |
87.99360 |
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1.113 (-53ºC)
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3.04 (vs air)
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无色气体
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库房通风低温干燥,与易燃物分开存放
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−130 °C(lit.)
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−184 °C(lit.)
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3.04 (vs air)
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Stable. Incompatible with zinc, alkaline earth metals, Group I metals, aluminium and its alloys. Non-flammable.
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FG4920000
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3
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2.2
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S38
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UN 1982 2.2
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F
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2933990090
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2933990090. 其他仅含氮杂原子的杂环化合物. 增值税率:17.0%. 退税率:13.0%. 监管条件:无. 最惠国关税:6.5%. 普通关税:20.0% | |
2933990090. heterocyclic compounds with nitrogen hetero-atom(s) only. VAT:17.0%. Tax rebate rate:13.0%. . MFN tariff:6.5%. General tariff:20.0% |
<p>1.由碳与氟反应,或一氧化碳与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,或二氟二氯甲烷与氟化氢反应,或四氯化碳与氟化银反应,或四氯化碳与氟化氢反应,都能生成四氟化碳。四氯化碳与氟化氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分,最后经精馏而得成品。 <br>2.预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应,反应放热后,氟开始和碳化硅进行反应,通入等体积的干燥氮气以稀释氟气,使反应继续进行,生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化后,将其通过装有氢氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟化硅,随后通过硅胶和五氧化二磷干燥塔得到最终产品。 <br>3.以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。产品经除尘,碱洗除去HF、CoF<br>2、SiF<br>4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏,通过控制精馏温度,除去O<br>2、N<br>2、H2,得到高纯CF4。</p> | |
<p>1.用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺,也用作激光气体,用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。 <br>2.是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体,四氟甲烷高纯气及四氟甲烷高纯气、高纯氧的混合气,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻,在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。 <br>3.用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。 </p> |