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硅
合成路线
（共 627 条）
18972-20-8
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
19624-22-7
五硼烷
+
20693-68-9
+
20693-66-7
+
20693-67-8
+
19287-45-7
乙硼烷
反应条件
in gaseous matrix 3 kV, in ozone apparatus, contains methyl silane;
参考文献
Gmelin Handbook: B: B-Verb.2, 5.1, page 165 - 176
7783-06-4
硫化氢
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
12504-41-5
+
7783-26-8
三硅烷
反应条件
Electric Arc; electric discharge, equimolar mixtures of H2S and SiH4, 200 Torr;
参考文献
Gmelin Handbook: S: SVol.4a/b, 1.3.10.1.7, page 266 - 267
10294-34-5
三氯化硼
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
13966-57-9
+
10325-39-0
二氯硼
+
19287-45-7
乙硼烷
反应条件
BCl3 in excess; 0.5 h; 1-2 atm; 100-200°C;
参考文献
Gmelin Handbook: B: B-Verb.9, 1.2.2.1, page 15 - 20
Full Text Show Details
Edwards, L. J.; Pearson, R. K.
Patent: US3007768 , 1961 ;
C.A., 1962 , vol. 56, p. 11236
7664-39-3
氢氟酸
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
10544-73-7
三氧化二氮
+
14515-39-0
六氟二硅氧烷
+
10102-43-9
氧化亚氮
+
13465-71-9
三氟-硅烷
+
7783-61-1
四氟化硅
+
10544-72-6
二氧化氮
+
10102-44-0
二氧化氮
+
10024-97-2
一氧化二氮
反应条件
nitrosyl-sulphuric acid; sulfuric acid Inert atmosphere;
参考文献
Lippold, Marcus; Boehme, Uwe; Gondek, Christoph; Kronstein, Martin; Patzig-Klein, Sebastian; Weser, Martin; Kroke, Edwin
European Journal of Inorganic Chemistry, 2012 , # 34 p. 5714 - 5721
→
反应条件
1174-72-7
硅酸四苯酯
反应条件
phenol phenol and a mixt. of Si and SiS2;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 130, page 361 - 363
7727-37-9
氮气
+
112926-00-8
高纯度硅胶I
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
12033-76-0
反应条件
in neat (no solvent) byproducts: α-Si3N4, β-Si3N4; self-propagating high-temp. synthesis two in devices; I: Si powder + SiO2 (colloidal soln.) + N2 (2 MPa); II: Si + SiO2 powders +N2 (10 MPa); velocity of combustion 0.3-2.6 mm/s, max. temp. .approx. 1500 or 2200°C; detd. by DTA, XRD;
参考文献
Ehlert, Thomas C.; Dean, T. P.; Billy, M.; Labbe, J.-C.
Journal of the American Ceramic Society, 1980 , vol. 63, p. 235 - 236
→
反应条件
12033-76-0
反应条件
in neat (no solvent, solid phase) annealing at 1400, 1450, and 1500°C for 15 min in air; XRD;
参考文献
Li, Yanhui; Wang, Li; Yin, Shaowu; Yang, Fuming; Wu, Ping
Journal of the American Ceramic Society, 2011 , vol. 94, # 12 p. 4169 - 4173
→
反应条件
反应条件
in solid Si, Si3N4 and NH4Cl mixed, milled for 16 h, combusted, cooled; elem. anal; monitored by XRD;
参考文献
Li, Jiang-Tao; Mei, Lin; Yang, Yun; Lin, Zhi-Ming
Journal of the American Ceramic Society, 2009 , vol. 92, # 3 p. 636 - 640
54509-73-8
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
18230-82-5
反应条件
in neat (no solvent) SiH4 and ethylene (mol. ratio 1:3) at 450°C;;
参考文献
Gmelin Handbook: Si: MVol.C, 34, page 106 - 108
7664-39-3
氢氟酸
+
7440-21-3
硅
→
反应条件
10544-73-7
三氧化二氮
+
14515-39-0
六氟二硅氧烷
+
10102-43-9
氧化亚氮
+
13465-71-9
三氟-硅烷
+
7783-61-1
四氟化硅
+
10544-72-6
二氧化氮
+
10102-44-0
二氧化氮
+
10024-97-2
一氧化二氮
反应条件
nitrosyl-sulphuric acid; sulfuric acid Inert atmosphere;
参考文献
Lippold, Marcus; Boehme, Uwe; Gondek, Christoph; Kronstein, Martin; Patzig-Klein, Sebastian; Weser, Martin; Kroke, Edwin
European Journal of Inorganic Chemistry, 2012 , # 34 p. 5714 - 5721
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